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复旦大学电光源研究所——方志来 教授

来源:浙照协 有 1367 人浏览 日期:2018-01-18 放大字体  缩小字体
方志来 教授
方志来,曾就读于中国科学技术大学近代物理系核电子学专业,获学士和硕士学位;香港中文大学物理系表面物理专业,获博士学位。曾到美国休斯顿大学访问,德国柏林洪堡大学博士后;曾任厦门大学物理系教授,博导;现任复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系教授,博导。

 

 
主要科研工作:
 
    方志来博士长期从事高质量III族氮化物半导体材料生长与发光机制及其器件应用技术研究。在氮化镓基半导体原位纳米横向外延、无荧光粉的白光LED材料与结构设计、表面/界面改性及其对晶体质量和发光性质的影响、纳米岛上的InGaN/GaN量子阱外延与发光机制等方面取得了一些研究成果。通过调控纳米成岛自组装形成多种光滑斜面,调控生长量子阱结构材料,实现了单片无荧光粉的白光发射。应邀撰写专著《Horizons in World Physics. Volume 280》章节“Monolithic phosphor-free white emission by InGaN/GaN quantum wells”,由美国Nova科学出版社正式出版。提出了原位非对称岛斜面生长方法和选择性阻挡穿透缺陷的手段,大幅提高了半极性GaN外延层的晶体质量。提出了一些新颖的镓氮基材料表面/界面改性的方法,通过对镓氮基材料表面和InGaN/GaN量子阱界面改性,提高了材料晶体质量与器件性能。研究工作得到国际同行关注,曾被《Semiconductor Today》专题报道。参与撰写了专著《Encyclopedia of Semiconductor Nanotechnology》章节“Applications of Surface/Interface Modification in Group-III Nitrides”,由美国科学出版社正式出版‏。曾主持或参加国家自然科学基金项目, “863计划”,国防基础研究计划, 省市重点科技计划等项目。曾参与国家自然科学基金面上项目,省“杰青”与面上项目,“863计划”等基金项目网络评议;兼任Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、ACS Appl. Materials & Interfaces、J. Phys. Chem. C、Crystal Growth & Design、CrystEngComm、Nanoscale、Nanotechnology、IEEE T. Nanotechnol.、Mater. Lett.等国际期刊论文评审。



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