方志来，曾就读于中国科学技术大学近代物理系核电子学专业，获学士和硕士学位；香港中文大学物理系表面物理专业，获博士学位。曾到美国休斯顿大学访问，德国柏林洪堡大学博士后；曾任厦门大学物理系教授，博导；现任复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系教授，博导。
主要科研工作：
方志来博士长期从事高质量III族氮化物半导体材料生长与发光机制及其器件应用技术研究。在氮化镓基半导体原位纳米横向外延、无荧光粉的白光LED材料与结构设计、表面/界面改性及其对晶体质量和发光性质的影响、纳米岛上的InGaN/GaN量子阱外延与发光机制等方面取得了一些研究成果。通过调控纳米成岛自组装形成多种光滑斜面，调控生长量子阱结构材料，实现了单片无荧光粉的白光发射。应邀撰写专著《Horizons in World Physics. Volume 280》章节“Monolithic phosphor-free white emission by InGaN/GaN quantum wells”，由美国Nova科学出版社正式出版。提出了原位非对称岛斜面生长方法和选择性阻挡穿透缺陷的手段，大幅提高了半极性GaN外延层的晶体质量。提出了一些新颖的镓氮基材料表面/界面改性的方法，通过对镓氮基材料表面和InGaN/GaN量子阱界面改性，提高了材料晶体质量与器件性能。研究工作得到国际同行关注，曾被《Semiconductor Today》专题报道。参与撰写了专著《Encyclopedia of Semiconductor Nanotechnology》章节“Applications of Surface/Interface Modification in Group-III Nitrides”，由美国科学出版社正式出版。曾主持或参加国家自然科学基金项目, “863计划”，国防基础研究计划, 省市重点科技计划等项目。曾参与国家自然科学基金面上项目，省“杰青”与面上项目，“863计划”等基金项目网络评议；兼任Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、ACS Appl. Materials & Interfaces、J. Phys. Chem. C、Crystal Growth & Design、CrystEngComm、Nanoscale、Nanotechnology、IEEE T. Nanotechnol.、Mater. Lett.等国际期刊论文评审。
如企业需要向专家咨询与合作，可通过协会联系；
联系电话:0571-87817807
地 址:杭州市拱墅区通益路111号LOFT49产业园10号楼4楼
或 长按下图“二维码”关注订阅；在订阅号中留下您的问题和联系方式，我们会及时和您联系；
如企业需要向专家咨询与合作，可通过协会联系；
联系电话:0571-87817807
地 址:杭州市拱墅区通益路111号LOFT49产业园10号楼4楼
或 长按下图“二维码”关注订阅；在订阅号中留下您的问题和联系方式，我们会及时和您联系；
